وفي سبتمبر 2024، نجح المختبر في إضاءة مصدر ضوء الليزر المدمج في الشريحة القائمة على السيليكون، وهو أيضًا أول تحقيق ناجح لهذه التكنولوجيا في الصين.
يستخدم هذا الإنجاز تقنية التكامل غير المتجانس التي طورها مختبر Jiufengshan، ويكمل عملية تكامل ليزر فوسفيد الإنديوم داخل رقاقة SOI 8-بوصة بعد عملية معقدة.
تُعرف هذه التقنية في الصناعة باسم "الرقاقة خارج الضوء"، والتي تستخدم الإشارات الضوئية ذات أداء إرسال أفضل لتحل محل الإشارات الكهربائية للإرسال، وهي وسيلة مهمة لتخريب نقل بيانات الإشارة بين الرقائق، والغرض الأساسي هو حل مشكلة أن الإشارة الكهربائية الحالية بين الرقائق قريبة من الحد المادي.
ستلعب دورًا ثوريًا في الترويج لمراكز البيانات ومراكز الحوسبة ورقائق وحدة المعالجة المركزية/وحدة معالجة الرسومات ورقائق الذكاء الاصطناعي وغيرها من المجالات.
تعتبر الوصلات الضوئية الموجودة على الرقاقة القائمة على التكامل الإلكتروني البصري القائم على السيليكون حلاً مثاليًا لاختراق اختناقات تطوير تكنولوجيا الدوائر المتكاملة في عصر ما بعد مور، مثل استهلاك الطاقة وعرض النطاق الترددي وزمن الوصول.
في الوقت الحاضر، يكمن التحدي الأصعب لتطوير منصة متكاملة تمامًا لضوئيات السيليكون في تطوير وتكامل "قلب" رقائق ضوئيات السيليكون، أي مصدر الضوء على ركيزة السيليكون الذي يمكن أن ينبعث الضوء بكفاءة عالية . تعد هذه التكنولوجيا واحدة من الروابط الفارغة القليلة في مجال الإلكترونيات الضوئية في الصين.
تعاون فريق معالجة ضوئيات السيليكون في مختبر Jiufengshan مع الشركاء لمعالجة المشكلات الرئيسية المتعلقة برقائق الضوئيات السيليكونية 8-بوصة، والحبيبات الفوقية لمادة الليزر III-V المترابطة بشكل غير متجانس، ثم نفذوا عملية تصنيع جهاز على رقاقة متوافق مع CMOS ، والتي نجحت في حل صعوبات تصميم هيكل المواد III-V ونموها، وانخفاض إنتاجية ربط الرقاقة المادية، والتحكم المتكامل غير المتجانس في نقش الرقاقة على الرقاقة. بعد ما يقرب من عشر سنوات من اللحاق بالمشاكل الرئيسية ومعالجتها، نجحنا أخيرًا في إضاءة الليزر في اللمعان وأنتجنا "رقاقة الضوء".
