أعلنت شركة تصنيع أشباه الموصلات نيكسبيريا مؤخرا عن خطط لاستثمار 200 مليون دولار (حوالي 184 مليون يورو) في تطوير منتجات أشباه الموصلات ذات الفجوة النطاقية العريضة من الجيل التالي، مثل كربيد السيليكون ونتريد الجاليوم، وإنشاء البنية الأساسية للإنتاج في مصنعها في هامبورج. وفي الوقت نفسه، ستزداد القدرة الإنتاجية للثنائيات والترانزستورات السيليكونية في مصانع الرقائق.
يُذكر أنه من أجل تلبية الطلب المتزايد على المدى الطويل على أشباه الموصلات عالية الكفاءة، ستبدأ شركة Ansei Semiconductor في البحث وإنتاج تقنيات SiC وGaN وSi في ألمانيا اعتبارًا من يونيو 2024.
تم تشغيل أول خط إنتاج لترانزستور GaN عالي الجهد من النوع D وثنائي SiC في يونيو 2024. وسيكون الإنجاز التالي هو إنشاء خط إنتاج MOSFET SiC 200 مم وGaN HEMT منخفض الجهد. سيتم الانتهاء من خطوط الإنتاج هذه في مصنع هامبورغ في العامين المقبلين. وفي الوقت نفسه، سيساعد هذا الاستثمار أيضًا في أتمتة البنية التحتية الحالية لمصنع هامبورغ بشكل أكبر وتوسيع قدرة إنتاج السيليكون من خلال التحول تدريجيًا نحو استخدام رقائق 200 مم.
وأشارت شركة أنسي سيميكونداكتور إلى أن هذا الإجراء يثبت بشكل كامل دعمها القوي للتقنيات الرئيسية في مجالات الكهربة والرقمنة. "تمكن أشباه الموصلات المصنوعة من كربيد السيليكون ونترات الغاليوم التطبيقات عالية الطاقة مثل مراكز البيانات من العمل بكفاءة ممتازة، كما أنها مكونات أساسية لتطبيقات الطاقة المتجددة والمركبات الكهربائية. تتمتع تقنيات الفجوة النطاقية الواسعة هذه بإمكانيات هائلة وتزداد أهمية لتحقيق أهداف إزالة الكربون".
تجدر الإشارة إلى أن هذا الاستثمار يمثل إنجازًا مهمًا آخر في تاريخ مصنع Lockstadt التابع لشركة Ansch Semiconductor في هامبورج والذي يمتد لقرن من الزمان. يُقال إنه منذ إنشاء Valvo Radio ö hrenfabrik في عام 1924، شهد المصنع تطورًا مستمرًا ويدعم الآن حوالي ربع الطلب العالمي على الثنائيات والترانزستورات ذات الإشارة الصغيرة.